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英特尔打磨22nm工艺 将用于生产MRAM和RRAM

【天极网手机频道】英特尔终于在Computex 2019上发布,6月正式开始出货10nm工艺处置惩罚器,虽然桌面级产品必要等到2020年才会正式到来。今朝,英特尔依然有不少工厂在持续临盆22nm工艺的产品,英特尔还在2017年推出更新版的22FFL工艺,结合已经成熟的22nm、14nm FinFET工艺开拓改善版。22FFL的工艺指标位于22nm和14nm Fi 你FET之间,晶体管密度1880万晶体管/平方毫米,晶体管密度好于22nm。FFL中的L代表Low Leakage,泄电流更低。22FFL的上风在于量产多年,产品的功耗低、资源低。

但22FFL工艺显着已经会用于临盆高机能x86处置惩罚器,英特尔已经微信工艺找到了自己的位置。除了此前已经发布的MRAM(磁阻式随机存储存储器)将应用22FFL之外,英特尔在VLSI 2019大年夜会上表示,22FFL工艺已经筹备好临盆RRAM(可变电阻随机存储存储器)。

MRAM和RRAM是两种介于DRAM和NAND Flash之间的产品,它们既拥有DRAM的高读写机能,也拥有NAND Flash产品的非易掉性,并拥有超长命命及靠得住性,上万次的写入、10多年的寿命、耐高温等特点。

然则现在的MRAM和RRAM芯片的容量都很低,常见的是256Mb、512Mb,部分产品的容量能到达1Gb,要实现大年夜规模临盆依然很远。不过信托在不久的将来,英特尔将会带来更出色的存储产品。

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